Микросхемы импортные |
 | 08122B |
 | 09399375 SO10-450 |
 | 100474A-5 |
| 100480A-10 |
 | 1033SE001 SSOP36 |
 | 1034SE001 SSOP32 (MEC50U01 G4) |
 | 1038D SOP8 |
 | 12BKK8W5ML DIP-30 |
 | 14DN348E DIP-64 |
 | 14DN362 SDIP28 |
 | 1507-50 PPAK |
 | 160D0WQ SO8 |
 | 16250829 SO28-300 |
 | 168K80G1RL SDIP20 |
 | 16P40-047F DIP40 |
 | 17S200API DIP8 |
 | 1CZ1 DPAK-5 TO252-5 |
 | 1CZ31H DPAK-5 |
 | 1H0565R TO220F-4 |
 | 1M0265R TO220F-4 |
 | 1M0380R TO220F-4 |
 | 1M0565R TO-220/4 |
 | 1M0765R TO3P-5 |
 | 2005Z DIP16 |
 | 23K256-I/ST TSSOP-8 SRAM, 262.144 kbit, 32KX8, 20 MHz, Ток потребл: 10µA, Технология: CMOS |
 | 24256W6 SO8-208 |
| 24C01A/P EEPROM, 1.024 kbit, 128X8, 100 kHz, Ток потребл: 3.5µA, Технология: CMOS, tWC: 1ms |
 | 24C01B1 DIP8 |
 | 24C01C6 DIP8 |
 | 24C02N-SI-2.7 SO-8 EEPROM, 2.048 kbit, 256X8, 100 kHz, 2-wire serial interface, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 10ms |
 | 24C02WP DIP-8 (24C02W6) |
 | 24C04-10PI-2.7 DIP-8 EEPROM, 4.096 kbit, 512X8, 400 kHz, Data retention = 100 years, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, DIP-8 |
| 24C04-S |
 | 24C04WP DIP-8 |
 | 24C08A-PU-2.7 DIP-8 EEPROM, 8.192 kbit, 1KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, Хранение данных 100 ЛЕТ, 1 миллион циклов записи, DIP-8 |
 | 24C08N SO-8  EEPROM, 8.192 kbit, 1KX8, 400 kHz, 2-wire serial interface, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 10ms |
 | 24C16N SO-8 (AT24C16) |
 | 24C16WP DIP-8 EEPROM, 16.7772 Mbit, 2MX8, 1 MHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24C256 DIP-8 (ATMLU1282EB,ATMLU904 2EB,ATMEL1602) |
 | 24C256 SO-8 (ATMELH412,ATMEL H034 2EC) |
 | 24LC01B-I/P DIP8 EEPROM, 1.024 kbit, 128X8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24LC01B-I/SN smd EEPROM, 1.024 kbit, 128X8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, smd |
 | 24LC02B-I/P DIP8 EEPROM, 2.048 kbit, 256X8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24LC04B/P DIP-8 EEPROM, 4.096 kbit, 512X8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, DIP-8 |
| 24LC08B-I/SN |
 | 24LC08B/P DIP-8 EEPROM, 8.192 kbit, 1KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24LC164/P DIP8 EEPROM, 16.384 kbit, 2KX8, 100 kHz, Data retention > 200 years; 1000000 erase/write cycles guaranteed, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 10ms |
 | 24LC16B-I/SN SO-8 EEPROM, 16.384 kbit, 2KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24LC16B/P DIP-8 EEPROM, 16.384 kbit, 2KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 10ms, DIP-8 |
 | 24LC256-I/P DIP8 EEPROM, 262.144 kbit, 32KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 24LC256-I/SN SOIC-8-3.9 EEPROM, 262.144 kbit, 32KX8, 400 kHz, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, SOIC-8-3.9 |
 | 24LC512-I/P DIP8 EEPROM, 524.288 kbit, 64KX8, 400 kHz, Ток потребл: 5µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, DIP8 |
 | 24LC512-I/SM SO8-208 EEPROM, 524.288 kbit, 64KX8, 400 kHz, Ток потребл: 5µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms, SO8-208 |
 | 24LC64-I/P EEPROM, 65.536 kbit, 8KX8, 400 kHz, Data retention > 200 years; 1000000 erase/write cycles guaranteed, Ток потребл: 3µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 25LC040-I/SN SO-8 EEPROM, 4.096 kbit, 512X8, 2 MHz, Ток потребл: 5µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 25LC256-I/P DIP8 EEPROM, 262.144 kbit, 32KX8, 10 MHz, Ток потребл: 6µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 25LC640AT-I/SN SOIC-8-3.9 EEPROM, 65.536 kbit, 8KX8, 10 MHz, Ток потребл: 5µA, Технология: CMOS, tWC: 5ms |
 | 25LV010A SO8 |
 | 25P05VP SO8 |
 | 25Q128FVSIG SO-8-208 (25Q128FVSG) |
 | 25Q128JVSIQ SO-8-208 (25Q128JVSQ) |
 | 25X40BVSIQ SO-8-208 |
 | 25X40VSIG SO8-208 |
 | 27C64A-20N OTP ROM, 65.536 kbit, 8KX8, Ток потребл: 30µA, Технология: CMOS |
 | 28F640J3A120 BGA64 ,10x13mm Intel код FW208 Микросхема на сотовый телефон Siemens C55 |
 | 29LV160TE-90PFTN TSOP48 |
 | 2ED020I12-FI SO18-300 Драйвер MOSFET, HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, Элементов: 2, Vпит: 15V, Iвых.пик.макс: 2A |
 | 2QR0680Z DIP7 |
 | 2S0680R TO-3P-5 |
 | 2S0880 TO247-5 |
 | 39SF010-90-4C-PH DIP32 |
 | 39VF010-70 PLCC32 |
 | 3Q0765RF TO3PF-5 |
 | 3S0680RF TO-3PF-5 |
 | 3S0765R TO247-5 |
 | 3S0765RF TO3PF-5 |
 | 4035 Ni DFP-16 (Н564ИР9) Сдвиговый регистр, PARALLEL IN PARALLEL OUT, Кол-во бит: 4, Задержка распростр: 400ns, Направл.счета: RIGHT, Технология: CMOS, Вых.полярность: CONFIGURABLE |
 | 4525GEH D-PAK-5 |
| 4827132AF SSO10 |
 | 4AK19 SIP10 |
| 4N38A оптрон Оптопара, Протестирован и сертифицирован на соответствие стандартам безопасности ul, Транзисторные выходы, оптрон |
 | 501-8P DIP8 (управление мощностью пылесоса) |
 | 501B-8P DIP8 |
| 5079 so10mini |
 | 5100B2 TSSOP-16 |
 | 5401DM TO263 (D2PAK) Логика, И-НЕ, Технология: TTL, Iнагруз.макс: 16mA |
 | 5H0165R DIP8 |
 | 5H0165R TO220F-4 |
 | 5H0165RN DIP-8 |
 | 5H02659R DIP8 |
 | 5H0365R DIP8 |
 | 5H0365R TO220F-4 |
 | 5H0565R DIP8 |
 | 5L0265R TO220F-4 |
 | 5L0265RN DIP8 |
 | 5L0365R TO-220F/4 |
 | 5M0165R TO220F-4 |
 | 5M0280R TO220F-4 |
 | 5M0765RC TO220-5 |
 | 5M0880R TO247/5 |